Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002585, 0100U005276 , Науково-дослідна робота Назва роботи Комп'ютерне моделювання електрооптичних процесів в низько розмірних напівпровідникових структурах Назва етапу роботи Керівник роботи Бєлих В.Г., Дата реєстрації 31-10-2003 Організація виконавець Донбаська державна машинобудівна академія Опис етапу У роботі вивчені особливості оптичних переходів у напівпровідникових структурах із квантовими ямами; розроблені програми розрахунків енергетичного спектра і хвильових функцій носіїв заряду в структурах із квантовими ямами; розглянутий механізм внутрішньоцентрової інверсної заселеності на основі Si/SiGe структури, обґрунтовано, що дельта-легування в край ями в такій системі має істотні переваги для одержання стимульованого Тгц випромінювання в порівнянні з випадком дельта-легування в центр Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити