Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U000304, 0103U006259 , Науково-дослідна робота Назва роботи Інформаційні технології в фізиці металів Назва етапу роботи Керівник роботи Молодкін Вадим Борисович, Дата реєстрації 28-01-2004 Організація виконавець Інститут металофізики ім.Г.В.Курдюмова НАН України Опис етапу Використовуючи високороздільну рентгенівську двокристальну дифрактометрію та динамічну теорію дифракції досліджено багатошарові системи, що містять шари квантових ям типу InxGa1-xAs1-yNy. Із аналізу кривих дифракційного відбиття визначено вміст азоту в шарі квантової ями (КЯ) і буферних шарах до і після відпалу. Показано, що значне перемішування In та Ga на границі розділу відбувається ще в процесі росту шару КЯ. В результаті взаємодифузії атомів In у бар'єрний шар GaAs і атомів Ga - в КЯ розмивається границя міжшарового розділу на глибину 1,2 нм. Встановлено, що при незначних концентраціях азоту в КЯ (N<3%) і в буферних шарах (N<1%) багатошарові системи мають досить досконалу кристалічну структуру. При цьому багатошарові системи з деформаційно-компенсаційними шарами GaAs більш досконалі. Створено теоретичні та експериментальні основи методу деформаційних залежностей (ДЗ) повної інтегральної відбивної здатності (ПІВЗ) для діагностики кількісних характеристик нанорозмірних дефектів у кристалах. Зокрема розроблено адекватну теоретичну модель для опису впливу нанорозмірних дефектів на ПІВЗ при наявності пружного вигину, який збільшує чутливість ПІВЗ до дефектів. В цій моделі вперше враховано залежність від пружного вигину факторів екстинкції за рахунок розсіяння на дефектах когерентної та дифузної складових ПІВЗ, а також безпосередньо інтегральної дифузно дифрагованої інтенсивності розсіяння. Ці залежності вперше експериментально підтверджені в роботі, а також емпірично встановлені параметри і характерні особливості вказаних залежностей. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити