Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U000390, 0101U000835 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення одно-, двох- та багато бар'єрних джозефсонівських тунельних структур на основi низько- та високотемпературних надпровiдникiв та дослiдження їх електрофiзичних властивостей Назва етапу роботи Керівник роботи Руденко Едуард Михайлович, Дата реєстрації 03-02-2004 Організація виконавець Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України Опис етапу Створені та досліджені багатобар'єрні джозефсонівські SINIS-переходи з рекордними для схем надшвидкої однофлуксонної електроніки (RSFQ) критичними параметрами. Встановлено, що їх динамічні властивості визначаються реальним опором при енергії нижче суми надпровідних щілин, а їх електротранспортні властивості визначаються інтерференцією в нормальному шарі електронів та дірок з утворенням андріївських зв'язаних станів, протікання надпровідного струму через які проявляється експериментально як пік струму на ВАХ при кінцевій напрузі. Розроблено теоретичну модель, що враховує неоднорідність тунельного бар'єру по товщині при транспорті струму через структури з високою прозорістю бар'єру. Вивчено вплив непружних ефектів на величину параметру порядку надпровідника на структурах Cr-Cr2O3-Pb-SnXOY-Pb. Вперше виявлено та досліджено ефект стимуляції надпровідникового параметру порядку через непружне розсіяння квазічастинок. Досліджено взаємодію електромагнітного випромінювання НВЧ діапазону як з багатобар'єрними джозефсонівськими контактами, так і з пристроями, створеними на основі тонких ВТНП-плівок YBCO. Розроблені та досліджені високоселективні пристрої - напівхвильові резонатори та смугопрозорі фільтри. Ключові слова: надпровідність, джозефсонівський контакт, тунельний бар'єр, багатобар'єрна структура, непружний ефект, НВЧ пристрій, андріївське відбиття. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити