Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U000914, 0103U000576 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив часткової невпорядкованості на фізичні властивості кристалів активних діелектриків Назва етапу роботи Керівник роботи Кудзін Аркадій Юрійович, Дата реєстрації 08-02-2006 Організація виконавець Дніпропетровський національний університет імені Олеся Гончара Опис етапу Об'єктом досліджень є кристали Ві12 Sі(Ge)О20, Ві2ТеО5, Вi4Gе3О12, Рb5Gе3О11, РbМоО4, Nа0.5Ві0.5ТiО3 Метою роботи є розробка принципів керування влас-тивостями кристалів активних діелектриків на основі складних оксидів шляхом створення у кристалічній гратці складних дефектів (нанокристалів) та контрольованого ступеню розупорядкування кристалічної ґратки. Методи дослідження - оптичні, діелектрична та радіоспектроскопія. Визначено природу локальних центрів, вплив невпорядкованості структури на діелектричні, оптичні властивості та кінетичні явища в кристалах. Галузь застосування - кристалохімія, оптоелектроніка. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити