Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U002593, 0104U004025 , Науково-дослідна робота Назва роботи Комплексні дослідження технології одержання та фізичних властивостей багатокомпонентних халькогенідних напівпровідників для створення високоефективних перетворювачів енергії і сенсорів Назва етапу роботи Керівник роботи Горлей Петро Миколайович, Дата реєстрації 15-02-2006 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу Наведено самоузгоджені аналітичні співвідношення між компонентами тензорів ефективних мас дірок трьох валентних зон кристалів зі структурою в'юрциту. Отримані вирази були використані для знаходження значень мас дірок трьох валентних зон CdS та CdSe. Проведено детальні дослідження залежностей ефективних мас носіїв і матричних елементів міжзонних переходів (валентні зони - зона провідності) в залежності від величини та типу одновісної деформації в цих матеріалах. Показано, що у CdS та CdSe носії з поперечною ефективною масою у валентній В-зоні поводяться подібно до носіїв з паралельною ефективною масою у С-зоні і навпаки. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити