Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0209U010444, 0107U002212 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Формування стабільних нанорозмірних плівкових композицій в НВЧ діодах діапазону 33-140 ГГц, що виготовляються за кремнієвою технологією

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Макогон Юрій Миколайович,

Дата реєстрації

03-12-2009

Організація виконавець

Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського"

Опис етапу

Досліджено і сформовано стабільні, нанорозмірні багатошарові плівкові композиції на монокристалічному кремнії для надзвичайно високочастотних діодів міліметрового діапазону, що виготовляються за кремнієвою технологією шляхом використання додаткових шарів як дифузійних бар'єрів для зменшення швидкостей взаємодифузії атомів металів між шарами, а також дифузії атомів кремнію в плівку під впливом електричного струму і підвищення температури експлуатації. Встановлено, що при заміні алюмінієвого струмопровідного шару мідним в плівкових композиціях Ti(200 нм)/Cu(200 нм)/Ti(10, 100 нм)/SiO2(370 нм)/Si(001), використання дифузійно-контролюючої мембрани Ti(10, 100 нм)/SiO2(370 нм) зумовлює бар'єрний ефект і за рахунок мінімізації процесів міжшарової взаємодії підвищує термостабільність шару міді до 970 К, що на 120 К вище порівняно з раніше дослідженими системами. Запропоновано і експериментально підтверджено теоретичну багатостадійну модель структурних та фазових перетворень в процесах реакційної дифузії в системах "плівкові шари Ni (Ti) нанометрових товщин (5 - 30 нм) - монокристал Si(001)" при термічній обробці в інтервалі температур (770-1270) К. Показано можливість практичного використання отриманих числовими методами розв'язків для моделювання та прогнозування дифузійного росту частинок нових фаз.

Опис продукції

Результати дослідження, яки одержані під час виконання цього проекту є науковою основою технології отримання стабільних, нанорозмірних багатошарових плівкових композицій в НВЧ діодах діапазону 33-140 ГГц, що виготовляються за кремнієвою технологією. Вирішувалась фізико-матеріалознавча проблема підвищення надійності і розширення діапазону частот НВЧ діодів за рахунок мінімізації дифузійних процесів міжшарової взаємодії в багаторівневих металізаціях, які мають місце під час виготовлення мікроприладів і мікросхем за кремнієвою інтегральною технологією, а також під час їх експлуатації. Розроблено ряд практичних рекомендацій. Для омічних контактів зі стабільними електрофізичними властивостями в інтервалі (300- 820) К треба використовувати плівкові композиції Au/Co/Mo; Au/NiCr/Mo. Процеси фазоутворення в них не відбуваються. Для підвищення надійності і розширения діапазону частот НВЧ діодів покращена структурна якість активної області, підвищена термічна і електрична стійкість до небажаних процесів структур

Автори роботи

Вербицька Т.І.
Котенко І.Є.
Макогон Ю.М.
Павлова О.П.
Тихонович В. Б.

Додано в НРАТ

2020-04-02