Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0210U001410, 0107U011406 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні процеси у радіаційно стійких композитних оптичних матеріалах на основі нанокристалічних халькогенідних напівпровідників Назва етапу роботи Керівник роботи Гомоннай Олександр Васильович, Дата реєстрації 11-02-2010 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис етапу Виявлено ефект сегрегації міноритарного халькогену в потрійних нанокристалах CdS1-xSex у боросилікатному склі при збільшенні тривалості чи підвищенні температури термообробки . Показано, що опромінення нанокристалів А2В6, вкраплених у боросилікатне скло, рентгенівським випромінюванням або високоенергетичними електронами веде до змін у спектрах оптичного поглинання, обумовлених негативною іонізацією нанокристалів внаслідок перенесення носіїв заряду між ними та радіаційно індукованими дірковими пастками в скляній матриці. Опис продукції Виявлено ефект сегрегації міноритарного халькогену в нанокристалах CdS1-xSex у боросилікатному склі при підвищенні тривалості чи температури термообробки . Показано, що опромінення нанокристалів А2В6 у боросилікатному склі рентгенівським випромінюванням або високоенергетичними електронами веде до змін у спектрах оптичного поглинання, обумовлених негативною іонізацією нанокристалів внаслідок перенесення носіїв заряду між ними та радіаційно індукованими дірковими пастками в скляній матриці. Автори роботи Ажнюк Юрій Миколайович Гутич Юрій Іванович Лопушанський Василь Володимирович Лоя Василь Юрійович Примак Микола Володимирович Роман Іван Юрійович Соломон Андрій Михайлович Турок Іван Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Гомоннай Олександр Васильович. Фізичні процеси у радіаційно стійких композитних оптичних матеріалах на основі нанокристалічних халькогенідних напівпровідників. (Етап: ). Інститут електронної фізики Національної академії наук України. № 0210U001410
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-26