Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0211U013348, 0109U001600 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичні та експериментальні дослідження морфології та оптичних властивостей фотохімічно/термічно синтезованих нанорозмірних частинок з характерними спектрами поверхневого плазмонного резонансу Назва етапу роботи Керівник роботи Горшков Вячеслав Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 23-12-2011 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу Науковий інтерес до нанорозмірних частинок (НЧ) благородних металів та утворених при їх осадженні розвинених металічних поверхонь зумовлений їхніми унікальними фізичними властивостями, зокрема підсиленням лінійних і нелінійних оптичних явищ в середовищах, що контактують з такими наноструктурами. Морфологічні характеристики НЧ визначають їх каталітичні, сенсорні, оптичні властивості. В зв'язку з цим надзвичайно важливим є виявлення факторів, від яких залежить морфологія наночастинок, які утворюються в багатокомпонентному розчині з урахуванням кінетичних явищ в розчині та на поверхні НЧ, що здійснено в даній роботі за допомогою розвинених авторами методів чисельного моделювання. Проведено чисельне дослідження тривимірної моделі дифузійного росту наночастинок, внутрішня будова яких відповідає кристалічним граткам різних типів. Розглянуто самоузгоджену систему нанокристал /навколишнє середовище. Враховано динаміку поверхневих частинок кластеру, які з різним ступенем ймовірності можуть змінювати своє положення при переході в сусідні вакансії гратки або відриватися від поверхні. Отримані результати демонструють базові принципи контролю форми зростаючих наночастинок з початкового ядра малих розмірів. Показано, що для однієї і тієї ж кристалічної гратки можна отримувати наночастинки різних форм; отримання навіть правильних багатогранників відбувається в неврівноважному режимі; еволюція форми кластеру може бути контрольована за допомогою зміни температури системи і концентрації вільних атомів в середовищі, що оточує зростаючий кластер. Виявлено, що чітко визначені поверхневі риси бажаної конфігурації при вирощуванні наноструктур на підкладці отримуються для відносно вузьких діапазонів значень параметрів росту для величин, пов'язаних з швидкістю дифузії речовини на поверхню і температурою. Результати досліджень демонструють можливості контрольованого синтезу, модифікації та управління оптичними характеристиками наноструктурованих систем. Одержані теоретичні висновки використано для розвитку методів керованого фотохімічного/термічного синтезу НЧ Ag та Au в колоїдах та прозорих плівках кремнезему з відомою морфологією нанокластерів. Опис продукції Розроблені алгоритми чисельного моделювання для тривимірної моделі дифузійного росту наночастинок у багатокомпонентному розчині з урахуванням кінетичних явищ в розчині та на поверхні наночастинки. Створені алгоритми дозволяють моделювати системи, в яких нараховується декілька мільйонів вільних та зв'язаних атомів, що не має аналогів у світі. Отримані результати демонструють базові принципи контролю форми зростаючих наночастинок з початкового ядра малих розмірів: еволюція форми кластеру може бути контрольована за допомогою зміни температури системи і концентрації вільних атомів в середовищі, що оточує зростаючий кластер. Результати досліджень демонструють можливості контрольованого синтезу, модифікації та управління оптичними характеристиками наноструктурованих систем. Одержані теоретичні висновки використано для розвитку методів керованого фотохімічного/термічного синтезу наночастинок Ag та Au в колоїдах та прозорих плівках кремнезему з відомою морфологією нанокластерів. Автори роботи В. М. Горшков В.В. Ванін Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Горшков Вячеслав Миколайович. Теоретичні та експериментальні дослідження морфології та оптичних властивостей фотохімічно/термічно синтезованих нанорозмірних частинок з характерними спектрами поверхневого плазмонного резонансу. (Етап: ). Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського". № 0211U013348
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22