Знайдено документів: 1
Реєстраційний номер

0213U001303, 0112U005189 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Квантові розмірні ефекти у тонкоплівкових і об'ємних структурах на основі напівпровідників V2VI3 та IV-VI і керування їх термоелектричними властивостями

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Рогачова Олена Іванівна, Доктор фізико-математичних наук

Дата реєстрації

08-02-2013

Організація виконавець

Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"

Опис етапу

Об'єкти дослідження - кристали і тонкі плівки напівпровідникових сполук V2VI3 і IV-VI. Мета роботи - розробка технології і вирощування методом термічного випаровування у вакуумі із одного джерела тонких плівок Bi2Te3 і PbTe з різною стехіометрією та концентрацією домішок, вимірювання їх електрофізичних і термоелектричних характеристик. Методи дослідження - аналіз хімічного складу, рентгенівська дифрактометрія, вимірювання електропровідності, коефіцієнта Холла, коефіцієнта Зеєбека. Синтезовано кристали напівпровідникових сполук Bi2Te3 і PbTe з різною стехіометрією та концентраціями домішок. Розроблено технологію вирощування методом термічного випаровування у вакуумі із одного джерела тонких плівок напівпровідникової сполуки Bi2Te3 з різним відхилом від стехіометрії на скляні підкладки, тонких плівок PbTe на підкладки BaF2, тонких плівок PbTe, легованого Cd, In, Ge, Bi, Sb, на підкладки KCl. Проведено дослідження хімічного складу, кристалічної структури, вимірювання електропровідності, коефіцієнта Холла, коефіцієнта Зеєбека. Досліджено вплив складу вихідного матеріалу та температури підкладки на кінетичні властивості тонких плівок Bi2Te3. Результати роботи мають практичний інтерес, бо пропонується технологічно простий і дешевий метод вирощування плівок.

Опис продукції

Виготовлено тонкі плівки на основі напівпровідників V2VI3 та IV-VI. Проведена атестація зразків: дослідження хімічного складу, кристалічної структури, вимірювання гальваномагнітних та термоелектричних властивостей в залежності від температури, товщини, складу, температури підкладки.

Автори роботи

Бондаренко Олександр Сергійович
Будник Олександр Валентинович
Водоріз Ольга Станіславівна
Дорошенко Ганна Миколаївна
Нащекіна Ольга Миколаївна
Ольховська Світлана Іванівна
Рогачова Олена Іванівна
Сіпатов Олександр Юрійович

Додано в НРАТ

2020-04-02

НДДКР ОК
Квантові розмірні ефекти у тонкоплівкових і об'ємних структурах на основі напівпровідників V2VI3 та IV-VI і керування їх термоелектричними властивостями
Керівник: Рогачова Олена Іванівна. Квантові розмірні ефекти у тонкоплівкових і об'ємних структурах на основі напівпровідників V2VI3 та IV-VI і керування їх термоелектричними властивостями. (Етап: ). Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут". № 0213U001303
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2025-05-09


Роздрукувати цю сторінку