Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0215U002038, 0112U002102 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Розробка сучасних напівпровідникових матеріалів і структур для опто-, мікро-, і сенсорної електроніки

Назва етапу роботи

Керівник роботи

В.Ф.Мачулін, О.І.Власенко,

Дата реєстрації

16-01-2015

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис етапу

Звіт про НДР: 1127 с., 2 частини, 1 додаток , 239 рис., 17 табл., 549 посилань. Об'єкт дослідження та розроблення: розробка сучасних напівпровідникових матеріалів і структур для опто-, мікро- і сенсорної електроніки нових принципів в т.ч. з розробкою методів і способів одержання та характеризації напівпровідникових матеріалів і структур та створення на їх основі елементної бази перспективної напівпровідникової електроніки. Мета роботи: розробка сучасних напівпровідникових матеріалів і структур для опто-, мікро- і сенсорної електроніки. Результати роботи: отримано нові важливі наукові, науково- технічні та технологічні результати по наступних напрямках: дослідження надшвидких акусто-електричних та акусто-магнітних взаємодій в нанорозмірних системах з метою їх застосувань в терагерцовій електроніці; розробка матеріалів і середовищ для систем реєстрації інформації, сенсорики і приладових структур; розвиток комплексу радіоспектроскопічних та просторово високороздільних спектроскопічних і мікроскопічних методів діагностики неорганічних і органічних матеріалів і структур; розробка технологічних методів одержання та дослідження фізичних властивостей шарів оксиду цинку як матеріалу для джерел білого випромінювання; розробка технологій отримання нових типів адсорбо- та радіаційно-чутливих планарних та нанорозмірних структур та формування на їх основі приладних модулів; практична діагностика напівпровідникових матеріалів і структур методами Х-променевої дифракції та скануючої зондової мікроскопії; розробка технологій фотовольтаїчних та плівкових структур фотоелектроніки і десорбційної мас-спектрометрії; розробка та дослідження напівпровідникових матеріалів і гетероструктур для сенсорної та НВЧ- електроніки, біомедицини. Результати НДР розробки є принципово важливими для створення сучасних технологій одержання напівпровідникових матеріалів і структур для потреб мікро-, опто- і сенсорної електроніки. ОПТОЕЛЕКТРОНІКА, ФОТОЕЛЕКТРОНІКА, МІКРОЕЛЕКТРОНІКА, ТЕРАГЕРЦОВА ЕЛЕКТРОНІКА, ФОНОННІ ЛАЗЕРИ, АКУСТО-ЕЛЕКТРОНІКА, МАГНІТО-АКУСТИКА, НАНОФІЗИКА, НАНОТЕХНОЛОГІЇ, НАПІВПРОВІДНИКОВІ НАНОРОЗМІРНІ СТРУКТУРИ, НАНОПОКРИТТЯ, НАНОКОМПОЗИТИ, НАНОМАТЕРІАЛИ, ВИСОКОРОЗДІЛЬНА ДИФРАКТОМЕТРІЯ, СКАНУЮЧА ЗОНДОВА МІКРОСКОПІЯ, ГЕТЕРОСТРУКТУРИ, СЕНСОРИ, ОПТОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ. Умови одержання звіту: за договором. 03171, Київ-171, вул. Антоновича, 180, УкрІНТЕІ.

Опис продукції

Автори роботи

список виконавців на 17 сторіках та в електронному вигляді

Додано в НРАТ

2020-04-02