Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0215U004058, 0110U005698 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Фізичні процеси детектування випромінювання терагерцового/субміліметрового діапазону за допомогою польових нанотранзисторів

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Сизов Федір Федорович, Доктор фізико-математичних наук

Дата реєстрації

30-01-2015

Організація виконавець

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис етапу

Основною перевагою нового типу приймачів випромінювання терагерцового/субміліметрового діапазону на основі кремнієвих метал-окисел-напівпровідник (МОН) нанотранзисторів є можливість їх виготовляти в одному технологічному циклі в складі великих інтегральних схем, що дозволяє розробляти багатоелементні ПВ для побудови систем активного бачення в реальному масштабі часу, які працюють при кімнатних температурах. Під час виконання роботи було вдосконалено теоретичну модель, спроектовано (за технологічними нормами 350 нм), виготовлено та досліджено властивості одноелементних та лінійки 8-елементних МОН приймачів випромінювання. Кожний чутливий елемент складається з антени, яка перенаправляє енергію випромінювання на МОН транзистор. Типові розміри антени складали ~220 х 330 мкм2, розміри транзисторів - від 0.35 х 0.5 мкм2 до 20 х 1 мкм2. На частоті випромінювання 71 ГГц вольт-ватна чутливість окремих приймачів складала 400 В/Вт та зменшувалась до 80 В/Вт на частоті 140 ГГц. Потужність еквівалентна шуму NEP ~ 500 пВт/Гц1/2 ( на частоті 140 ГГц). Конструкція 8-елементного приймача передбачає підсилення та послідовне підключення сигналу кожного з восьми елементів на один інформаційний вихід, керування коефіцієнтом підсилення, та об'єднання кілька лінійок в одну для збільшення розмірності зображення, наприклад, до 320 елементів. Максимальна частота строкової розгортки 20 кГц, що достатньо для отримання зображень в реальному масштабі часу. З метою вивчення перспективних напівпровідникових матеріалів і гетероструктур для приймачів випромінювання даного класу розглянуто теоретичну модель структура квантової ями (КЯ) CdTe/HgCdTe/CdTe з інвертованою зонною структурою. За допомогою двокоординатного механічного сканування та розроблених приймачів випромінювання частоі 140 ГГц були отримані зображення предметів, які знаходились в непрозорому конверті.

Опис продукції

Виготовлено експериментальні зразки багатоелементних кремнієвих метал-оксид-напівпровідникових нанотранзисторів та інтегральних схем зчитування інформації з них

Автори роботи

Голенков Олександр Геннадійович
Гуменюк-Сичевська Жана Віталівна
Корінець Сергій Володимирович
Рева Володимир Павлович
Сизов Федір Федорович

Додано в НРАТ

2020-04-02