Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0217U000084, 0112U000895 , Науково-дослідна робота

Назва роботи

Дослідження гетерних властивостей радіаційних дефектів у напівпровідниках

Назва етапу роботи

Керівник роботи

Литовченко Петро Григорович,

Дата реєстрації

17-01-2017

Організація виконавець

Інститут ядерних досліджень НАН України

Опис етапу

Об'єкт дослідження - високоомний монокристалічний кремній та легований ізовалентними домішками, опромінений ядерними частинками. Мета роботи - вивчення закономірностей змін електрофізичних і структурних властивостей напівпровідників в полях ядерних випромінювань, дослідження впливу ростових дефектів і домішок на ефекти далекодії для високоенергетичних легких іонів в запробіжній області кристалу. Результати дослідження: При опроміненні монокристалічного кремнію високоенергетичними протонами і альфа-частинками виявлено радіаційний вплив та розповсюдження дефектної структури в запробіжну для іонів частину зразків ("ефекти далекодії"), що не передбачено існуючою теорією іонної імплантації. Радіаційний вплив при протонному опроміненні проявлявся в прискореному утворенні термодефектів в прошарках росту кремнію, яке в запробіжній частині зразка було більш інтенсивним і спостерігалось при температурі відпалювання на 50°С нижчій, ніж в пробіжній. Розрахована температурна залежність кінетичних коефіцієнтів, виміряних в темряві і при ІК - підсвічуванні за краєм власного поглинання Ge-і Si-фільтрів, і описано поведінку рухливості електронів в високоомному кремнії, вирощеного методом бестигельного зонного плавлення, після опромінення швидкими нейтронами реактора. В рамках уточненої моделі кластерів дефектів розрахована температурна залежність концентрації електронів і дрейфовий бар'єрів при їх дифузному русі в зразках кремнію. Обґрунтовано, що дивакансії в кластерах дефектів знаходяться в конфігурації з більшою дисторсією.

Опис продукції

Вивчено закономірності змін електрофізичних і структурних властивостей напівпровідників в полях ядерних випромінювань. Досліджено вплив ростових дефектів і домішок на ефекти далекодії для високоенергетичних легких іонів в запробіжній області кристалу.

Автори роботи

Бердниченко Світлана Василівна
Варніна Валентина Іванівна
Васильківський Анатолій Степанович
Воробйов Володимир Герасимович
Гайдар Галина Петрівна
Долголенко Олександр Петрович
Конорева Оксана Володимирівна
Кочкін Василій Іванович
Ластовецький Володимир Францевич
Макуха Олександр Миколайович
Малий Євгеній Вікторович
Марченко Лариса Сергіївна
Пінковська Мирослава Богданівна
Петренко Ігор Віталійович
Полівцев Леонід Анлрійович
Старчик Маргарита Іванівна
Тартачник Володимир Петрович
Шматко Галина Григорівна

Додано в НРАТ

2020-04-02