Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0217U007312, 0115U003242 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка наукових основ створення детекторів іонізуючого випромінювання та сонячних елементів на основі CdTe, легованого ізовалентними домішками 3d-металів (Mn, Zn) Назва етапу роботи Керівник роботи Фочук Петро Михайлович, Дата реєстрації 28-12-2017 Організація виконавець Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича Опис етапу Були поведені дослідження методом диференційно-термічного аналізу процеси плавлення та кристалізації твердих розчинів Cd(Zn,Mn)Te систем CdTe-MnТе, CdTe-ZnТе. На всіх термограмах спостерігались ендо- і екзотермічні ефекти, які відповідали точкам плавлення і кристалізації, які характерні для конгруентних фазових перетворень в досліджуваних зразках. На основі проведених досліджень оптимізовано технологію синтезу і вирощування кристалів Cd(Zn,Mn)Te для створення на їх основі детекторів радіаційного випромінювання. Оптимізовано конструкції печей, програми зміни температури під час технологічних операцій. Випробувано кілька методик вирощування кристалів: метод Бріджмена та модифікований метод рухомого нагрівника. Проведено моделювання розподілу включень сторонніх фаз в об'ємі кристалів із застосуванням розробленого програмного забезпечення. Вперше проведено очистку кристалів CdTe та Cd1-хMnхTe від включень фази Те методом сухої зони. Встановлено, що після такої очистки густина і розміри включень фази Те в кристалі зменшуються у декілька разів, а концентрація іонізованих домішок більше, ніж в 2 рази. Вперше застосовано обертання контейнера під кутом до горизонту, що дозволило вирівняти фронт кристалізації і підвищити однорідність матеріалу. Проведено комплексне дослідження ансамблю точкових та об'ємних дефектів в кристалах Cd(Zn,Mn)Te, легованих In(Al), з оптимальним вмістом Zn або Mn. Досліджено електричні характеристики кристалів Cd(Zn,Mn)Te, легованих індієм і структур на їх основі типу In/Cd(Zn, Mn)Te/In з омічними контактами та Cr/Cd(Zn ,Mn)Te/In з бар'єрними контактами (діоди Шотткі), які застосовувалися для створення детекторів X- та ?-випромінювання. Проаналізовано та пояснено температурні залежності питомого опору, енергії рівня Фермі в матеріалах з великим питомим опором. Знайдена енергія іонізації і ступінь компенсації домішки, відповідальної за електропровідність матеріалу. Завдяки сумісному дослідженню температурної залежності струмів омічної ділянки вольт-амперної характеристики та струмів, обмежених просторовим зарядом, встановлено зв'язок між енергетичним положенням і ступенем компенсації глибокого рівня, відповідального за темнову провідність кристалів та детектуючими властивостями структур, які виготовлені на цих кристалах. Опис продукції На основі диференційно-термічного аналізу процесів плавлення та кристалізації твердих розчинів Cd(Zn,Mn)Te систем CdTe-MnТе, CdTe-ZnТе розроблено технологію синтезу і вирощування кристалів Cd(Zn,Mn)Te для створення на їх основі детекторів радіаційного випромінювання; оптимізовано конструкції печей, програми зміни температури під час технологічних операцій. Випробувано кілька методик вирощування кристалів (метод Бріджмена та модифікований метод рухомого нагрівника) та їх очистки. Вперше проведено очистку кристалів CdTe та Cd1-хMnхTe від включень фази Те методом сухої зони. Встановлено, що після такої очистки густина і розміри включень фази Те в кристалі зменшуються у декілька разів, а концентрація іонізованих домішок більше, ніж в 2 рази. Вперше застосовано обертання контейнера під кутом до горизонту, що дозволило вирівняти фронт кристалізації і підвищити однорідність матеріалу. Автори роботи Іваніцька Валентина Григорівна Дремлюженко Сергій Григорович Копач Олег Вадимович Никонюк Євген Сергійович Панчук Олег Ельпідефорович Склярчук Валерій Михайлович Солодін Сергій Володимирович Федорчук Анатолій Олександрович Фочук Петро Михайлович Щербак Лариса Павлівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити