Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U000194, 0118U003265 , Науково-дослідна робота Назва роботи Магнітні багатошарові наноструктури на основі антиферомагнетиків для елементів терагерцової спінтроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Кравець Анатолій Федорович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 03-01-2021 Організація виконавець Інститут магнетизму Національної академії наук України та Міністерства освіти і науки України Опис етапу  Обґрунтовано вибір типів магнітних багатошарових наноструктур на основі антиферомагнетиків з очікуваними магнітними динамічними властивостями та здійснений вибір моделей для розрахунків їх магнітних і резонансних властивостей. Виготовлено дослідні зразки магнітних багатошарових наноструктур на основі антиферомагнетиків різного типу з очікуваними магнітними властивостями. Досліджено вплив параметрів складових шарів на спінову динаміку в багатошарових наноструктурах на основі антиферомагнетиків різного типу. Розроблено інноваційний підхід до збільшення власних магнітних резонансних частот багатошарових наноструктур до суб-терагерцового діапазону шляхом комбінування шарів сильних феромагнетиків (ФМ) і слабких антиферомагнетиків (АФМ) з яскраво вираженим ефектом підмагнічування на ФМ/АФМ інтерфейсі в околі обраної температури Неєля. При цьому через звуження частотного проміжку між магнітними резонансами у ФМ і АФМ матеріалах відбувається ефективний енергетичний обмін між спіновими збудженнями в цих матеріалах, суттєвого підвищуються резонансні частоти ФМ/АФМ структур і з’являється можливість заповнення частотної щілини між гігагерцовим (ФМ) і терагерцовим діапазонами (АФМ), що є важливо для високошвидкісних спінтронних застосувань. Для наноструктурованих систем феромагнетик-немагнітний прошарок-антиферомагнетик вперше експериментально досліджено спін-анізотропні властивості на інтерфейсі немагнітний матеріал - антиферомагнетик. З’ясовано закономірності зміни релаксації спінового струму в антиферомагнітому шарі в залежності від кута між поляризацією спінового струму та вектором Нееля. У основі експерименту лежить ефект спінової накачки, викликаний феромагнітним резонансом. На відміну від інших підходів, у даному випадку резонуючий феромагнітний шар виступає джерелом спінового струму і водночас характеризує розсіювання спінового струму в сусідніх шарах. Показано, що у таких структурах ширина лінії ФМР змінюється в залежності від кута між намагніченістю феромагнітного шар Опис продукції Автори роботи Кравець Анатолій Федорович Літвиненко Ярина Михайлівна Поліщук Дмитро Михайлович Полек Тарас Ігоревич Товстолиткін Олександр Іванович Додано в НРАТ 2021-01-03 Закрити