Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U102651, 0118U003046 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження дельта легованих наноструктур з метою утворення перестроюваних електричним полем активних і пасивних приладів терагерцового діапазону. Назва етапу роботи Керівник роботи Тулупенко Віктор Миколайович, Дата реєстрації 08-02-2021 Організація виконавець Донбаська державна машинобудівна академія Опис етапу Об'єкт дослідження: Напружені кремнієві (Si) дельта-леговані квантові ями із кремнієво-германієвими бар'єрами Si0.8Ge0.2. Мета дослідження: Визначити вплив фонового і, отже, навмисного, легування бар'єрів на перебудову, насамперед, перших енергетичних рівнів просторового квантування в дельта-легованих квантових ямах. Теоретичні результати: показано, що можна отримати підвищену (до двох разів) концентрацію електронів у квантових ямах завдяки іонізації фонових домішок. Досліджений вплив мілких фонових домішок в нескінченних бар'єрах на реальну структуру SiGe/Si/SiGe дельта-легованої квантової ями. Тут розглядається випадок, коли симетрія порушена. Пояснено необхідні модифікації самоузгодженого методу, який включає розрахунок енергії зв’язку домішок. Результати показують, що згадана асиметрія надає нові можливості для керування міжпідзонними оптичними переходами ступенем іонізації домішки дельта-шару. Також показано, що прикладання поперечного електричного поля до SiGe/Si квантової ями з домішковим дельта-шаром всередині дозволяє гнучко керувати енергетичним зазором між двома нижчими підзонами розмірного квантування. Модель заснована на конкуренції між міні-ямами, одна з яких створена перерозподілом заряду внаслідок іонізації домішок дельта-шару, та інша, створені в результаті прикладання електричного поля.  Опис продукції Автори роботи Акімов Володимир Ігоревич Васильєва Ірина Вікторівна Демедюк Роман Олександрович Дуке Карлос Альберто Тарасов Олександр Федорович Тулупенко Віктор Миколайович Фоміна Оксана Сергіївна Додано в НРАТ 2021-02-08 Закрити