Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0223U001183, 0121U111874 , Науково-дослідна робота Назва роботи Плазмонні наноструктури "напівпровідник-метал-діелектрик" для високочутливих сенсорів шкідливих випарів органічних речовин промислового походження Назва етапу роботи Керівник роботи Дорожинський Гліб Вячеславович, Кандидат технічних наук Дата реєстрації 25-01-2023 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу  Було експериментально визначено чутливість та селективність газових сенсорів на основі явища поверхневого плазмонного резонансу зі створеними плазмонними наноструктурами «ITO-Au-ПТФЕ» до шкідливих випарів органічних речовин (гексану, метанолу, ізопропанолу та ацетону). Для порівняння досліджували додатково структури без підшару ІТО та підшару політетрафторетилену. Вимірювання проводили на сенсорі поверхневого плазмонного резонансу приладу «Плазмон-6» в геометрії Кречмана. У порівнянні з сенсором, що мав тільки шар золота чутливість зросла від 6 до 16 разів та залежала від виду досліджуваної речовини. Найбільше значення чутливості було визначено для парів ацетону, а найменша для гексану. Експериментально визначено межу детектування парів ацетону - вона становила 1,47 мг/л. Визначена межа детектування менше, ніж межа гранично допустимого рівня парів ацетону у виробничих приміщеннях, яка складає 2,4 мг/л. Селективність до парів ацетону по відношенню до парів одноатомних спиртів зросла у 4,2 рази у порівнянні зі структурою-прототипом «Au-ПТФЕ». Експериментально було встановлено лінійний зсув резонансних характеристик в сторону більших кутів при зростанні товщини політетрафторетилену зі швидкістю 0,27 град/нм для λ=650 нм та 0,11 град/нм для λ=850 нм. Такий результат засвідчив, що при переході в інфрачервону область можна збільшувати товщину шару політетрафторетилену і при цьому менше втрачати у діапазоні вимірювання резонансних кутів. При переході від 650 нм до 850 нм розширення діапазону вимірювання резонансних кутів становило 4 кутові градуси. Було встановлено залежність селективності сенсора від товщини шару політетрафторетилену та довжини хвилі збудження поверхневих плазмонів, що може бути наслідком як зміни ефективної поверхні взаємодії так і дисперсії показника заломлення досліджуваних речовин. Було розроблено методичні рекомендації для виявлення шкідливих випарів органічних речовин сенсорами зі створеними наноструктурами. Опис продукції Автори роботи Федоренко Артем Вячеславович Додано в НРАТ 2023-01-25 Закрити
НДДКР ОК
1
Керівник: Дорожинський Гліб Вячеславович. Плазмонні наноструктури "напівпровідник-метал-діелектрик" для високочутливих сенсорів шкідливих випарів органічних речовин промислового походження. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0223U001183
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-27