Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0226U003282, (0125U001768) , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення засад формування властивостей ультраширокозонних напівпровідників на основі Ga2O3 для силової електроніки та УФ оптоелектроніки Назва етапу роботи Одно- та двох заміщені тверді розчини на основі β-Ga2O3: одержання, кристалічна структура та термічне розширення. Керівник роботи Василечко Леонід Орестович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 25-03-2026 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис роботи Пошук і встановлення можливостей керованої модифікації кристалічної структури, оптичних та електронних властивостей широкозонних оксидних напівпровідників шляхом одно- та багатокатіонного заміщення різних кристалографічних позицій у структурі b-Ga2O3 та літій-галієвої шпінелі на основі синтезу нових сполук і комплексного експериментального та теоретичного дослідження взаємозв’язку їх атомної будови і зонної структури. Опис етапу Проєкт направлений на пошук і встановлення можливостей керованої модифікації електронних властивостей складних оксидних функціональних матеріалів зі структурою бета-Ga2O3 та шпінелі, кристалічна структура яких утворена октаедричними та тетраедричними кисневими поліедрами, шляхом катіонних заміщень у підґратках. Мультидисциплінарне дослідження передбачає синтез нових сполук твердих розчинів, прецизійне визначення параметрів кристалічної структури методами рентгенівської дифракції, ab-initio розрахунки міжатомних взаємодій і енергетичного спектру, оптичні та люмінесцентні методи експериментального дослідження електронних властивостей. В результаті виконання проєкту будуть створені засади для отримання ультраширокозонних напівпровідників з дірковою провідністю і структур з p-n переходами для сучасної силової електроніки, а також люмінофорів різного призначення. Опис продукції Автори роботи Убізський Сергій Борисович Луцюк Ірина Володимирівна Пекінчак Ольга Володимирівна Сиворотка Ігор Ігорович Турчак Світлана Леонідівна Греб Василь Миколайович Додано в НРАТ 2026-03-25 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Василечко Леонід Орестович. Розроблення засад формування властивостей ультраширокозонних напівпровідників на основі Ga2O3 для силової електроніки та УФ оптоелектроніки. (Етап: Одно- та двох заміщені тверді розчини на основі β-Ga2O3: одержання, кристалічна структура та термічне розширення.). Національний університет "Львівська політехніка". № 0226U003282
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-30