Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0305U001154, 0104U009813 , Науково-дослідна робота Назва роботи Проведення технологічних досліджень по зменшенню паразитної ємності в процесі створення надвисокочастотних транзисторів з нанорозмірними активними шарами. Назва етапу роботи Проведення технологічних досліджень по зменшенню паразитної ємності в процесі створення надвисокочастотних транзисторів з нанорозмірними активними шарами. Керівник роботи Ларкін Сергій Юрійович, Дата реєстрації 21-01-2005 Організація виконавець Державний науково-дослідний центр "Фонон" Опис етапу У даному звіті розглянуті різні види нанотранзисторів (МДП структури з нанорозмірними активними шарами, одноелектронні транзистори, молекулярні й атомні структури): розглянути принципи їхньої роботи (схемотехнічний підхід), технологія виготовлення (особлива увага акцентована на технологічні методи, що сприяють зменшенню паразитних ємностей між активними елементами) застосування в мікроелектроніці. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Проведення технологічних досліджень по зменшенню паразитної ємності в процесі створення надвисокочастотних транзисторів з нанорозмірними активними шарами.
Керівник: Ларкін Сергій Юрійович. Проведення технологічних досліджень по зменшенню паразитної ємності в процесі створення надвисокочастотних транзисторів з нанорозмірними активними шарами.. (Етап: Проведення технологічних досліджень по зменшенню паразитної ємності в процесі створення надвисокочастотних транзисторів з нанорозмірними активними шарами.). Державний науково-дослідний центр "Фонон". № 0305U001154
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку