Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0305U001483, 0101U002880 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні основи процесів формування поверхневих нанорозмірних структур та методів досліджень перспективних матеріалів для потреб енергокомплексу Назва етапу роботи Експериментальні та модельні дослідження формування спектрів ХВЕЕ в режимі на "відбиття". Дослідження впливу температури на процеси міграції атомів 5-ї групи та d-металів на поверхнях напівпровідників. Керівник роботи Находкін Микола Григорович, Дата реєстрації 25-02-2005 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Методом ХВЕВЕ досліджені поверхневі колективні збудження в Al та In показано, що лише у Al існує мультипольний поверхневий плазмон при від'ємній дисперсії звичайного поверхневого плазмону. Для утворення оксидів Si в системі Sb/Si(001) потрібні суттєво більші експозиції у молекулярному кисні ніж у системі Ві/Si(001), що пояснюється меншими напруженнями та переносом заряду між сурфактантом та підкладкою. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити