Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0308U001335, 0106U004199 , Науково-дослідна робота Назва роботи Перехідні процеси та самоорганізація при кристалізації в умовах розбіжностей кристалохімічних параметрів матеріалів Назва етапу роботи Створення кінетичної моделі та розрахунок умов самоузгодженого росту когерентних островків при гетероепітаксії. Розробка критеріїв стійкості для багатокомпонентних систем. Експериментальна перевірка розроблених моделей. Керівник роботи Шутов Станіслав Вікторович, Дата реєстрації 29-01-2008 Організація виконавець Херсонський національний технічний університет Опис етапу Для аналізу умов контакту рідкої та твердої фаз при гетероепітаксії багатокомпонентних шарів з рідкої фази проведена адаптація підходу, запропонованого Смолом і Гьозом для аналізу термодинамічної стійкості системи, що базується на збуренні рідкої фази внаслідок часткового розчинення підкладки та релаксації цього збурення шляхом кристалізації захисного епітаксійного шару, що є рівноважним до розчину-розплаву. Розроблений алгоритм дає змогу визначати початковий склад рідкої фази та необхідне переохолодження у залежності від температури епітаксії для кристалізації захисного рівноважного до рідкої фази гетероепітаксійного шару. Розглядається можливість застосування методів електроепітаксії для керування умовами росту та додаткової стабілізації підкладки. Розроблена модель та реалізований тестовий комп'ютерний алгоритм для розрахунку кінетичної моделі острівцевого росту гетероепітаксійної плівки, що дає змогу оцінити залежність швидкості росту епітаксійного шару, розміри острівців та їх щільність у залежності від технологічних умов. Попередні результати моделювання показали стабілізацію щільності зародків та її насичення, що відповідає самоорганізації у системі, що кристалізується. Виконано експерименти з рідкофазної епітаксії шарів GaAs(Si) в ростових капілярних зазорах джерело GaAs - підкладка Si(111) КДБ-2,5. примусовим охолодженням розчину-розплаву з періодичними коливаннями температури. Методами оптичної та електронної мікроскопії досліджено вплив товщини капілярного зазору на процеси зародження острівців GaAs на поверхні Si-підкладки, їх тангенційного розростання в суцільний планарний епітаксійний шар. Встановлено, що при товщині капілярного зазору 0,5-0,7 мм щільність зародків GaAs сягає 500 … 2000 см-2. При зменшенні товщини зазору ефективність тангенційного розрощування шару знижується. Виконано комплекс експериментальних досліджень селективного росту шарів GaAs на підкладках Si кристалографічних орієнтацій (100), (110) та (111) з використанням методики епітаксійного латерального нарощування (Epitaxial lateral overgrowth). На основі експериментів розроблено методику отримання епітаксійних шарів GaAs на підкладках кремнію орієнтації (100), (110) та (111). Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити