Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0311U003098, 0109U007238 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології та виготовлення експериментальних зразків фотодіодів інфрачервоного діапазону спектра 3-5,5 мкм на основі сполук Mn(Cd)HgTe Назва етапу роботи Проведення порівняльних досліджень впливу іонного травлення на електричні властивості р-MnxHg1-xTe та p-CdxHg1-xTe і процесів їх релаксації. Розроблення методик дослідження параметрів фотодіодів. Керівник роботи Іжнін Ігор Іванович, Дата реєстрації 25-01-2011 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Карат" Опис етапу Об'єкт досліджень - фотодіоди інфрачервоного діапазону спектра. Предмет досліджень - фотодіоди інфрачервоного діапазону спектра 3-5,5 мкм на основі сполук Mn(Cd)HgTe та технологія їхнього виготовлення. Мета роботи - розроблення конструкції, відпрацювання базових технологій та виготовлення експериментальних зразків фотодіодів середнього інфрачервоного діапазону спектра 3-5 мкм на базі вузькощілинних напівпровідників Mn(Cd)xHg1-xTe для оптоелектронних систем. Відпрацьована технологія росту монокристалів вакансійно-легованого р-MnxHg1-xTe з необхідними складом (х=0,13) і рівнем концентрації вакансій та відпрацьовані технології механічної та хімічної обробки пластин MnxHg1-xTe. Проведені комплексні дослідження впливу іонного травлення на властивості вакансійно-легованих монокристалічних пластин р-MnxHg1-xTe і епітаксійних структур р-CdxHg1 xTe, отриманих методами рідинно-фазної та молекулярно-променевої епітаксії, та відпрацьовані технологічні режими формування р-n переходів методом іонного з необхідною глибиною залягання. Опис продукції В процесі виконання роботи відпрацьована технологія росту монокристалів вакансійно-легованого р-MnxHg1-xTe та механічної та хімічної обробки пластин MnxHg1-xTe. Проведені комплексні дослідження впливу іонного травлення на властивості монокристалічних пластин р-MnxHg1-xTe і епітаксійних структур р-CdxHg1 xTe, відпрацьовані технологічні режими формування р-n переходів методом іонного з необхідною глибиною залягання. Розроблена конструкція фотодіодів та відпрацьовані технологічні операції виготовлення меза та планарних фотодіодів Відпрацьовані методики дослідження основних параметрів фотодіодів (добутку R0A, ділянки спектральної чутливості, здатності до виявлення), виготовлена експериментальна партія фотодіодів, досліджені їхні параметри. Автори роботи Іжнін Ігор Іванович Іжнін Олександр Іванович Генега Наталія Ярославівна Мудрий Ростислав Ярославович Фіцич Олена Іванівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити