Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0406U002144, Кандидатська дисертація На здобуття к.х.н. Дата захисту 28-04-2006 Статус Запланована Назва роботи Кристалохімія точкових дефектів і властивості нестехіометричного SnTe та твердих розчинів на його основі. Здобувач Іванишин Ірина Мирославівна, Керівник Фреїк Дмитро Михайлович Опонент Томашик Василь Миколайович Опонент Лобанов Віктор Васильович Опис На основі проведених експериментальних досліджень фізико-хімічних властивостей бездомішкового нестехіометричного стануму телуриду підтверджено наявність двох електровалентних станів Sn2+ і Sn4+ та вперше розроблена нова модель точкових дефектів у Sn0,984Te із дво- та чотиризарядними вакансіями у катіонній підґратці. Вперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння для різних механізмів дефектоутворення у легованому Ga, In, Sb, Bi р-SnTe та твердих розчинах систем Sn0,984Te-Ga (In, Tl, Sb, Bi)-Te із врахуванням зарядових станів власних точкових дефектів, можливих зарядових станів домішок, їх локалізації в структурі типу NaCl та хімічної взаємодії. Визначено концентраційні межі реалізації даних механізмів. Показано, що утворення твердих розчинів пов'язане із процесами диспропорціювання зарядових станів як катіонних вакансій, так і домішкових йонів, а також перерозподілом вакансій Стануму та домішкових атомів за катіонними підґратками і процесами комплексоутворення з виділенням фаз типу сфалериту. Дата реєстрації 2006-04-28 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити