Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0406U002321, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 29-05-2006 Статус Запланована Назва роботи Перебудова енергетичних зон і закономірності тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах Ge і Si Здобувач Сусь Богдан Богданович, Керівник Коломоєць Володимир Васильович Опонент Жарких Юрій Серафимович Опонент Бондар Віталій Михайлович Опис У дисертації досліджені тензорезистивні ефекти в Si і Ge n- і р-типу в умовах сильного одновісного тиску у зв'язку зі змінами енергетичної структури кристалів. Встановлено, що в нейтронно-легованому n-Si має місце деформаційно-індукована іонізація дефектів технологічного походження. Визначені енергії активації термодонорів технологічного походження. Причиною деформаційно-індукованого фазового переходу метал-ізолятор в n-Ge(Sb) є перебудова зони провідності Ge, яка характеризується збільшенням ефективної маси електронів при сильному одновісному тиску в напрямку [100]. Тензоопір р-Si в умовах сильного одновісного тиску визначається як ефектом переселення носіїв із зони "легких" у зону "важких" дірок, так і перебудовою валентної зони. Дата реєстрації 2006-05-29 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити