Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0407U002700, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 15-06-2007 Статус Запланована Назва роботи Вплив ультразвуку на процеси росту монокристалів твердого розчину Ga0.03In0.97Sb з розплаву і шарів GaAs методом рідкофазної епітаксії Здобувач Золкіна Людмила Вікторівна, Керівник Кожемякін Геннадій Миколайович Опонент Ковтун Геннадій Прокопович Опонент Шепель Леонід Григорович Опис Об'єкт дослідження - технологічні процеси росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb та епітаксіальних шарів GaAs високої якості в ультразвуковому полі. Мета дослідження - визначити умови вирощування в ультразвуковому полі монокристалів Ga0.03In0.97Sb, епітаксіальних шарів GaAs високої якості. Методи дослідження - електронно-зондовий мікроаналіз, метод хімічного травлення, оптична мікроскопія й рентгеноструктурний аналіз. Теоретичні та практичні результати, новизна - встановлено ефект впливу ультразвуку із частотами від 0,69 до 1,44 МГц на ріст монокристалів Ga0.03In0.97Sb, у результаті якого в кристалах усуваються шари з періодом більше 14 мкм; установлено закономірності зміни електрофізичних властивостей у монокристалах Ga0.03In0.97Sb, вирощених в ультразвуковому полі й без впливу ультразвуку на розплав; визначено оптимальний режим відпалу монокристалів Ga0.03In0.97Sb, який дозволяє запобігти утворенню тріщин довжиною більше 0,1 мм у кристалах; запропоновано фізичну модель, що описує процеси, які відбуваються в рідкій фазі при вирощуванні монокристалів Ga0.03In0.97Sb в ультразвуковому полі; показано, що ефективність впливу ультразвукових хвиль на процес росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb знижується при збільшенні градієнта температури в рідкій фазі й частоти обертання кристала та не залежить від зміни висоти модельної рідини; встановлено вплив ультразвукового поля із частотою 3 МГц на морфологію епітаксіальних шарів GaAs, який полягає в усуненні макроступенів на поверхні шарів. Ступінь упровадження - вирощені методом Чохральського в ультразвуковому полі монокристали Ga0.03In0.97Sb застосовуються як матеріал для виготовлення датчиків Холу в лабораторії Інституту фізики твердого тіла, матеріалознавства та технології ННЦ ХФТІ НАН України, м. Харків, результати дисертації застосовуються також в навчальному процесі при вивченні курсів "Фізичні властивості й методи дослідження матеріалів" і "Нові матеріали" в СНУ ім. В. Даля, м. Луганськ. Сфера використання - технології одержання матеріалів електронної техніки. Дата реєстрації 2007-06-15 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити