Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0408U003613, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 30-06-2008 Статус Запланована Назва роботи Технологія отримання мікрокристалів арсеніду індію, стійких до дії опромінення високоенергетичними електронами. Здобувач Шуригін Федір Михайлович, Керівник Большакова Інеса Антонівна Опонент Вербицький Володимир Григорович Опонент Стахіра Павло Йосипович Опис Дисертація присвячена проблемі розробки методів стабілізації електрофізичних параметрів напівпровідникового матеріалу InAs з метою розширення його функціональних можливостей та області застосування. Основна концепція базується на одержанні напівпровідникових мікрокристалів арсеніду індію з заданим рівнем легування, при якому зміна концентрації вільних носіїв заряду під дією опромінення високоенергетичними електронами буде мінімальною. Вперше шляхом математичного моделювання показана можливість легування мікрокристалів арсеніду індію домішкою олова в широкому діапазоні концентрацій при осадженні їх з газової фази в хлоридній системі InAs - Sn - HCl. Реалізована технологія отримання легованих оловом мікрокристалів арсеніду індію з концентрацією вільних носіїв заряду від 5·1016 см-3 до 1·1019 см-3. Експериментально визначений оптимальний рівень легування мікрокристалів арсеніду індію, при якому зміна концентрації вільних носіїв заряду при опроміненні високоенергетичними електронами є мінімальна. Мікрокристали InAs<Sn>, одержані осадженням з газової фази в хлоридній системі, знайшли практичне використання в датчиках магнітного поля холівського типу для вирішення магнітовимірювальних задач. Дата реєстрації 2008-06-30 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити