Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0410U001272, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 16-12-2009 Статус Запланована Назва роботи Первинний розмін енергії іонізуючої частинки у трекових ділянках органічних сцинтиляційних кристалічних матеріалів Здобувач Мартиненко Євгенія Вікторівна, Керівник Галунов Микола Захарович Опонент Агєєв Леонід Опанасович Опонент Дегода Володимір Якович Опис У дисертаційній роботі розглянуті процеси первинного розміну енергії у треках іонізуючих випромінювань в органічних молекулярних кристалічних сцинтиляційних матеріалах. Запропоновано напівемпіричний опис процесу первинного розміну енергії у трекових ділянках органічних кристалічних сцинтиляторів, що враховує вплив ефекту електронної поляризації зарядовими станами молекул у треку та розглядає в наближенні "однокрокової" моделі процес первинного гасіння як стрибкоподібний. Показано, що "специфічне" гасіння можна розділити на первинне і вторинне гасіння, що відбуваються у треку, але протікають по-різному. Первинне гасіння визначається рекомбінацією поляронних пар, що виникли одразу після розпаду плазмонів, та відбувається швидше, ніж розширення поперечного перерізу треку на відстань, порівняну із середньою міжмолекулярною відстанню, і швидше, ніж формування треку по всій його довжині. Вторинне гасіння відбувається в остиглому треку, що розширюється. Доведено, що первинне гасіння у треку іонізуючої частинки для органічних сцинтиляторів має концентраційно - контрольований характер. Показано, що швидка рекомбінація поляронних пар, що виникли одразу після розпаду плазмонів, яка відбувається одночасно з формуванням відповідної ділянки треку, сприяє вирівнюванню радіального розподілу концентрації пар поляронів в ньому за термін часу, коротший від формування треку по всій його довжині. Дата реєстрації 2009-12-16 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Мартиненко Євгенія Вікторівна. Первинний розмін енергії іонізуючої частинки у трекових ділянках органічних сцинтиляційних кристалічних матеріалів : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2009-12-16; Статус: Захищена; Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України. – , 0410U001272.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28