Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0411U004916, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 07-10-2011 Статус Запланована Назва роботи Вплив вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисленні Здобувач Свірідова Ольга Валентинівна, Керівник Сминтина Валентин Андрійович Опонент Литовченко Володимир Григорович Опонент Курмашев Шаміль Джамашевич Опис Дисертацію присвячено дослідженню закономірностей впливу вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисленні. У дисертації досліджено процеси дефектоутворення в кремнії, структурах і приладах на основі кремнію, встановлені механізми трансформації вихідних дефектів в процесах легування і окислення кремнію, а саме: запропоновано і експериментально підтверджено роботами інших авторів механізм утворення двох областей, що розташовані на різних глибинах від поверхні і містять дефекти, які утворюються при іонному легуванні пластин кремнію; встановлено механізм зміцнення кристалів p-кремнію, що містять фонову домішку кисню, яка преципітує на дислокаціях; показано, що шаруватість пластин монокристалічного кремнію є першопричиною виникнення дефектів упаковки в окислених пластинах; описано і експериментально підтверджено механізм трансформації мікродефектів у дефекти упаковки внаслідок окислення пластин кремнію. Побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-ФП при зростанні густини дислокацій; показано, що відбір p-i-n-ФП за S-образністю ВАХ може бути використаний для виявлення фотоприймачів, які містять області розупорядкування у вигляді полікристалічного кремнію. Дата реєстрації 2011-10-07 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Свірідова Ольга Валентинівна. Вплив вихідних дефектів кремнію на процеси дефектоутворення при легуванні та окисленні : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2011-10-07; Статус: Захищена; Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова. Наукова частина. – , 0411U004916.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28