Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0414U001614, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 12-03-2014 Статус Запланована Назва роботи Еволюція структурних дефектів у приповерхневому шарі бар'єрних структур на основі p-Si, стимульована дією зовнішніх факторів Здобувач Слободзян Дмитро Петрович, Керівник Павлик Богдан Васильович Опонент Ільченко Володимир Васильович Опонент Шпотюк Олег Йосипович Опис Представлено результати дослідження та зроблено аналіз електрофізичних характеристик поверхнево-бар'єрних структур на основі p-Si для радіоелектроніки та сонячної енергетики. Проведено дослідження радіаційно- та магніто-стимульованих змін електрофізичних характеристик при наявності та відсутності поля напружень дислокацій. Представлено дослідження дефектів з глибокими енергетичними рівнями у забороненій зоні кремнію з допомогою ємнісно-модуляційної спектроскопії та описано їхню еволюцію під дією Х-опромінення. Показана наявність на поверхні "сонячного" кремнію мікро- та нановключень. Дата реєстрації 2014-03-12 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити