Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0416U004882, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 11-11-2016 Статус Запланована Назва роботи Електронні властивості тонкоплівкових нанорозмірних омічних та бар'єрних контактів до широкозонних напівпровідників GaN та SiC. Здобувач Кудрик Роман Ярославович, Керівник Cтасюк Зиновій Васильович Опонент Лукіянець Богдан Антонович Опонент Салій Ярослав Петрович Опис В дисертації представлені результати комплексного дослідження процесів, що відбуваються в омічних та бар'єрних контактах з дифузійними бар'єрами на основі наноструктурних плівок TiB2 до широкозонних напівпровідників SiC та GaN, опублікованих у 20 наукових працях. Показана залежність термічної стійкості бар'єрних контактів Au-TiB2-n-6H SiC від параметрів плівки TiB2. Визначено оптимальні розміри нанокристалітів та продемонстровано стабільність електрофізичних параметрів контактів після відпалу при Т = 1000°С. Виявлено, що для контактів з бар'єром Шотткі Au-TiB2-n-GaN вольтамперна характеристика при кімнатній температурі має дві характерні ділянки, на яких переважають польовий та термоелектронний механізм струмоперенесення. Показано, що струмоперенесення може бути пов'язаним з тунелюванням з торця шунтуючих дислокацій, котрі перетинають область просторового заряду.Показано відсутность дифузії та підтверджено структурну цілісність наноструктурованого шару TiB2 при високих температурах обробки і стабільність омічних контактів Au-TiB2-Ni-n-SiС та Au-TiB2-Al-Ti-n-GaN-i-Al2O3 при Т = 900 °С. Визначено домінуючі механізми струмоперенесення, розраховано питомий контактний опір, що виявився на рівні кращих значень інших авторів. Дата реєстрації 2016-11-11 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити