Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0424U000174, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат фізико-математичних наук Дата захисту 11-06-2024 Статус Підтверджена МОН Назва роботи Вплив перехідних процесів на формування адсорбційного відгуку сенсорних структур на основі наноматеріалів Здобувач Костюкевич Олександр Миколайович, Керівник Скришевський Валерій Антонович Опонент Гайворонський Володимир Ярославович Опонент Назаров Олексій Миколайович Опис Дисертацію присвячено дослідженню фізико-хімічних особливостей формування адсорбційного струмового, ємнісного та опорового відгуків у газочутливих контактах метал-напівпровідник із тонкими проміжними плівками ITO (оксиду індію-олова), гетероструктур на основі шарів оксидів титану, цинку, індію-олова, кремнієвих фотоелектричних перетворювачів, поруватих вільних шарів карбіду кремнію (SiC), а також вивченню впливу перехідних процесів за участі пасткових рівнів на адсорбційну чутливість вище означених напівпровідникових структур та можливості застосування селективних параметрів цих перехідних процесів для дискримінації хімічних сполук або формування нюхового образу газового середовища. В роботі на основі аналізу адсорбційно-стимульованих змін вольтамперних характеристик вперше показано, що причиною зростання зворотного струму крізь перехід p-Si/Ni із нанорозмірною плівкою ITO під впливом адсорбції молекул етилового та ізопропілового спиртів при постійній прикладеній напрузі є фізичний ефект зменшення висоти потенціального бар’єра у оксидній плівці, зумовлений зміною потенціалу сил дзеркального зображення, що діють на неосновні носії заряду у переході. Сама ж зміна потенціалу сил дзеркального зображення є обумовленою варіаціями діелектричної проникності плівки внаслідок адсорбції та подальшої міграції молекул аналіту у її об’єм. Дата реєстрації 2024-06-26 Додано в НРАТ 2024-06-26 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Костюкевич Олександр Миколайович. Вплив перехідних процесів на формування адсорбційного відгуку сенсорних структур на основі наноматеріалів : Кандидат фізико-математичних наук : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2024-06-11; Статус: Підтверджена МОН; Київський національний університет імені Тараса Шевченка. – Київ, 0424U000174.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-27