Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0497U000903, Кандидатська дисертація На здобуття Дата захисту 16-05-1997 Статус Запланована Назва роботи Особенности формирования и релаксации неравновесных фотоэлетрических эффектов в поверхностнобарьерных полупроводниковых структурах Здобувач Паничевская Татьяна Владимировна, Керівник Саченко А.В. Опонент Акопян А.А. Опонент Зинец О.С. Опис Объект исследования: Полупроводниковые поверхностно-барьерные структуры. Цель исследования: Исследование теоретическими методами особенностей формирования и релаксации фотоэлектрических эффектов в указанных объектах. Методы исследования и аппаратура: Теоретическое моделирование, аналитические расчеты, численное моделирование. ПК IBM 386. Теоретические результаты и новизна: Установлены новые физические механизмы и закономерности явлений, которые происходят в освещенных поверхностно-барьерных полупроводниковых структурах. Практические результаты и новизна: Результаты работы могут быть использованы для оптимизации инверсионных солнечных элементов по густоте и ширине линий контактной сетки, а также при разработке новых приборов микроэлектроники. Сфера (область) использования: Полупроводниковая фотоэлектроника, гелиотехника. Дата реєстрації 1997-05-16 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити
Дисертація кандидатська
Особенности формирования и релаксации неравновесных фотоэлетрических эффектов в поверхностнобарьерных полупроводниковых структурах
Паничевская Татьяна Владимировна. Особенности формирования и релаксации неравновесных фотоэлетрических эффектов в поверхностнобарьерных полупроводниковых структурах : : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 1997-05-16; Статус: Захищена; Институт физики полупроводников НАН Украины. – , 0497U000903.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку