Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0497U001114, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 30-05-1997 Статус Запланована Назва роботи Модификация структуры и фотоэлектрических свойств твердых растворов СdxHg1-xTe при наносекундном лазерном облучении Здобувач Копишинская Елена Петровна, Керівник Мозоль П.Е. Керівник Власенко А.И. Опонент Сальков Е.А. Опонент Гнатенко Ю.П. Опис Объект исследования: Кристаллы, эпитаксиальные и поликристаллические пленки твердых растворов СdHgTe различного компонентного состава. Цель исследования: Изучение закономерностей лазерного дефектообразования в соединениях СdHgTe и возможностей направленного изменения их свойств фотопроводимости (стационарной и импульсной). Методы исследования и аппаратура: Электрофизические, рентгеновские, электронный микроскоп, лазер. Теоретические результаты и новизна: Определение механизмов дефектообразования и причин повышения чувствиельности, 1/f-шума в СdHgTe при получении. Практические результаты и новизна: Установлены режимы наносекундной обработки для повышения чувствительности эпитаксиальных слоев и оптимизации параметров приповерхностной области кристаллов. Предмет и степень внедрения: Публикации в научных изданиях и в материалах конференций. Эффективность внедрения: Фоточувствительность возрастает в 10-30 раз, скорость рекомендации падает в 10 раз. Сфера (область) использования: В производстве полупроводников. Дата реєстрації 1997-05-30 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити