Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0499U002340, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 14-09-1999 Статус Запланована Назва роботи Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6 Здобувач Борковська Людмила Володимирівна, Керівник Корсунська Надія Овсіївна Опонент Любченко Олексій Вікторович Опонент Комаров Альберт Васильович Опис Об’єкт дослідження - монокристали CdS та епітаксійні шари ZnSe/GaAs, ZnTe/GaAs. Мета дослідження - встановлення фізичних механізмів ряду оборотних та необоротних процесів, які протікають в напівпровідникових сполуках А2В6 під дією різних зовнішніх впливів (освітлення, відпал, ультразвукова обробка) і пов’язані з присутністю та взаємодією макродефектів та рухливих точкових дефектів, а також у з’ясуванні ролі цих процесів у деградації оптичних характеристик світловипромінюючих приладів на основі цих сполук. Методи дослідження - оптичні (спектроскопія поглинання та відбивання), люмінесцентні, фотоелектричні (фотопровідність, термостимульована провідність), метод струмів, індукованих електронним зондом, електронний парамагнітний резонанс. На основі проведений досліджень показано, що декорування дислокацій точковими дефектами в кристалах CdS приводить до розмиття краю фундаментального поглинання внаслідок формування хвостів густини станів у придислокаційних областях. Встановлено, що цей ефект проявляється в зміні форми спектра крайової люмінесценції і процесах деградації лазерів з електронним збудженням. Виявлено ефект безактиваційного збирання донорів на дислокації в кристалах CdS під дією імпульсного ультразвуку. Встановлено, що фотостимульоване утворення мілких донорів в об’ємі кристалів CdS обумовлене розпадом кластерів атомів кадмію. Ідентифіковано смуги люмінесценції, пов’язані з макродефектами, в епітаксійних шарах ZnTe/GaAs і ZnSe/GaAs. Встановлено, що приповерхнева область цих шарів містить підвищену концентрацію лінійних і точкових дефектів. Одержані результати можуть бути корисними для вдосконалення технології одержання монокристалів та епітаксійних шарів сполук А2В6, які використовуються для виготовлення різних оптоелектронних приладів. Дата реєстрації 2000-09-08 Додано в НРАТ 2021-03-17 Закрити