Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0500U000146, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 22-05-2000 Статус Запланована Назва роботи Вплив точкових дефектів і їх асоціацій на розсіювання рентгенівських променів реальними кристалами напівпровідників Здобувач Кладько Василь Петрович, Керівник Мачулін Володимир Федорович Опонент Новіков Микола Миколайович Опонент Раранський Микола Дмитрович Опонент Михайлов Ігор Федорович Опис Досліджено процеси розсіювання рентгенівських променів в кристалах, що містять дефекти структури, а також відхилення хімічного складу від стехіометричного. Вперше встановлено динамічний характер розсіювання рентгенівських променів (маятникові осциляції інтенсивності, погасання ефекту Бормана) для квазізаборонених рефлексів в умовах сильного впливу явищ аномальної дисперсії. Впровадження доцільно в напівпровідниковому матеріалознавстві. Дата реєстрації 2000-05-22 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація докторська
Вплив точкових дефектів і їх асоціацій на розсіювання рентгенівських променів реальними кристалами напівпровідників
Кладько Василь Петрович. Вплив точкових дефектів і їх асоціацій на розсіювання рентгенівських променів реальними кристалами напівпровідників : д.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2000-05-22; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0500U000146.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку