Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0511U000460, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 27-05-2011 Статус Запланована Назва роботи Акустостимульовані явища у напівпровідникових реальних кристалах ( А2В6 , А3В5, Ge, Si) Здобувач Оліх Ярослав Михайлович, Керівник Мачулін Володимир Федорович Опонент Стахіра Йосип Михайлович Опонент Данильченко Борис Олександрович Опонент Коротченков Олег Олександрович Опис Дисертація присвячена дослідженню акустостимульованих (АС) змін акустичних, електрофізичних та фотоелектричних властивостей напівпровідникових кристалів (сполуки А2В6 та А3В5; кристали Si та Ge; світловипромінюючі та діодні структури ZnS:Mn, GaP) при дії ультразвуку (УЗ). В CdXHg1-XTe (х=0.17-0.23) виявлено нові динамічні АС ефекти: акустопровідність та інверсія типу провідності, акустополяризація, дисперсія УЗ хвиль, акустична емісія; встановлено резонансний характер взаємодії УЗ; показана можливість покращення фізичних характеристик матеріалу та їхньої стабільності. Запропоновані нові методики дослідження дефектів: динамічний акусто-холл, термоакустичний відпал, імпульсна акустопровідність. Вивчено механізми АС відновлення радіаційно пошкоджених напівпровідникових пристроїв. У радіаційно-опромінених зразках Si та Gе виявлені та ідентифіковані "акустоактивні дефекти", які характеризуються наявністю метастабільних станів; АС перехід між ними супроводжується повторно-оборотними змінами електрофізичних характеристик. Реалізовано використання УЗ в процесі йонної імплантації в кремнієві пластини та структури; виявлено низку позитивних АС ефектів при технологічних операціях виготовлення p-n переходів; проведено аналіз процесів дефектоутворення в нерівноважних умовах, викликаних одночасними йонною імплантацією та дією УЗ; показана можливість АС посилення процесів самоорганізації. Проведено узагальнену систематику АС явищ у напівпровідниках. Дата реєстрації 2011-05-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити