Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0514U000801, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 28-11-2014 Статус Запланована Назва роботи Механізми переносу заряду і фотоелектричного перетворення в детекторах іонізуючого випромінювання на основі напівізолюючого телуриду кадмію та його твердих розчинів Здобувач Маслянчук Олена Леонідівна, Керівник Мельничук Степан Васильович Опонент Корбутяк Дмитро Васильович Опонент Литовченко Петро Григорович Опонент Ваксман Юрій Федорович Опис Виявлено і пояснено раніше невисвітлені у літературі важливі для практики особливості електричних характеристик кристалів, застосовуваних в X- і гамма-детекторах, з практично власною провідністю з урахуванням наявних глибоких енергетичних рівнів у забороненій зоні. Вперше аналітично обгрунтовано властивості кристалів CdTе і CdZnTe, легованих елементами III або VII групи періодичної системи (Cl, In), через утворення самокомпенсованих комплексів. Запропоновано й обґрунтовано теоретичну модель, яка дозволяє розрахувати спектральний розподіл ефективності детектування X/гамма-променів в кристалах CdTe і CdZnTe. Встановлено кореляцію концентрації нескомпенсованих домішок у кристалах з ефективністю збирання фотогенерованого заряду в детекторах з діодами Шотткі. Вперше показано, що тонкі шари (плівки) CdTe з діодом Шотткі загалом не поступаються технологічно складнішим детекторам на напівізолюючому CdTe і можуть слугувати альтернативою існуючим детекторам Х-променевого зображення на основі селену (a-Se). Запропоновано нову методику визначення енергії іонізації домішки і ступеня її компенсації та три незалежні методики визначення концентрації нескомпенсованих домішок (дефектів) - одного з ключових параметрів матеріалу. Дата реєстрації 2014-11-28 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити