Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0521U101674, Докторська дисертація На здобуття Доктор фізико-математичних наук Дата захисту 12-05-2021 Статус Запланована Назва роботи Закономірності радіаційного утворення короткоживучих центрів забарвлення і люмінесценції в сцинтиляційних кристалах на основі СsI. Здобувач Трефілова Лариса Миколаївна, Кандидат фізико-математичних наук Керівник Трефілова Лариса Миколаївна Консультант Трефілова Лариса Миколаївна Опонент Рогачова Олена Іванівна Опонент Савченко Олена Володимирівна Опонент Бойко Юрiй Iванович Опис Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків.– Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2021. Використовуючи методи люмінесцентної та абсорбційної спектроскопії з високим часовим розділенням в дисертації досліджені механізми формування імпульсів люмінесценції при збудженні кристалів CsI(A) (A ≡ Tl+, Na+, CO32–) імпульсними пучками прискорених електронів і лазерного випромінювання нано- та фемтосекундної тривалості. Побудована концепція про найважливішу роль у люмінесцентному процесі донорно-акцепторних диполів [Tl0Vk], [Na0Vk] и [F,CO3–], відповідно. Показано, що спектрально-кінетичні властивості активаторної люмінесценції визначаються специфікою розпаду диполів з утворенням двох типів екситонів локалізованих біля активатора, що відрізняються положенням двогалоїдного діркового ядра по відношенню до катіон-заміщуючого (Tl+ або Na+) або аніон-заміщуючого (CO32–) иона активатора. Розширені уявлення про механізм формування випромінюючих станів локалізованих екситонів в активованих кристалах CsI. Ключові слова: кристал йодиду цезію, активаторна люмінесценція, кінетика загасання, двогалоїдний экситон. Дата реєстрації 2021-06-08 Додано в НРАТ 2021-06-08 Закрити
Дисертація докторська
2
Трефілова Лариса Миколаївна. Закономірності радіаційного утворення короткоживучих центрів забарвлення і люмінесценції в сцинтиляційних кристалах на основі СsI. : Доктор фізико-математичних наук : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2021-05-12; Статус: Захищена; Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України. – Харків, 0521U101674.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28