Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0593U000292, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 28-05-1993 Статус Запланована Назва роботи Экситонные и дефектные состояния в сложных неатомарных, ионно-легированныхполупроводниках и эпитаксиальных структурах Здобувач Моцный Федор Васильевич, Опонент Бродин М.С. Опонент Литовченко В.Г. Опонент Берча Д.М. Опис Объект исследования: Трииодиды висмута и сурьмы, диодид свинца, полуизолирующий арсенид галлия и слоистые структуры на его основе. Цель исследования: Обнаружение и комплексное исследование особенностей экситонных и дефектных состояний в сложных неатомарных, ионно-легированных полупроводниках. Методы исследования и аппаратура: Спектроскопия; эффект Холла; электронный параммагн. резонанс; химический; рентгеновский, спектроэмиссинный, электр.-микр. анализ. Теоретические результаты и новизна: Решена принципиальная задача относительно новой квазичастички-биэлектрона /бихола/; установлено влияние слоистости на оптические свойства кристаллов; установлен характер внедрения примесей. Практические результаты и новизна: Установлен характер легирования слоистых кристаллов и найден способ стабилизации межполитипных переходов; разработан неразрушающий фотолюминесцентный безконтактный метод контроля качества полуизолирующего арсенида галия и структур на его основе; выявлен ведущий поверхностный слой в полуизолирующем CaAs после традиционного отжига. Предмет и степень внедрения: Результаты исследования галлия и структур на его основе. Эффективность внедрения: 529 тыс.руб. в ценах 1989 г. Сфера (область) использования: Микроэлектроника, технология полупроводниковых материалов, диагностика. Дата реєстрації 1993-03-01 Додано в НРАТ 2021-03-18 Закрити