Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2110U000529, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Зависимость конфигурации пористого слоя фосфида индия от концентрации носителей заряда Автор Дата публікації 01-01-2010 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215 Видання Издательство СумГУ Опис В данной работе представлены экспериментальные результаты, демонстрирующие влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его поверхности во время электрохимического травления. Установлено, что наиболее качественные пористые слои формируются при использовании кристаллов с концентрацией свободных носителей заряда 2,3×10^18 см^(-3). Также представлены результаты наблюдений слоистой неоднородности InP, которая объяснена с точки зрения особенности технологического процесса выращивания сильнолегированных кристаллов. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215 У даній роботі представлені експериментальні результати, що демонструють вплив рівня легування фосфіду індію на формування поруватого шару на його поверхні під час електрохімічного травлення. Встановлено, що найбільш якісні поруваті шари формуються при використанні кристалів з концентрацією віль-них носіїв заряду 2,3×10^(18)см^(–3). Також представлені результати досліджень шаруватої неоднорідності InP, яка пояснена з точки зору особливості техно-логічного процесу вирощування сільнолегованих кристалів. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215 This paper presents experimental results demonstrating the influence of the doping level of InP on the porous layer formation on its surface during the electrochemical etching. It is established that the more high-quality porous layers are formed using the crystals with the free carrier concentration of 2,3×10^(18)cm^(–3). The observation results of InP layered heterogeneity are discussed and explained in terms of the features of the growing process of heavily doped crystals. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/9215 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити