Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2111U000664, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Absorption and luminescence of hydrogen and oxygen passivated silicon quantum dots Автор Дата публікації 01-01-2011 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27881 Видання Видавництво СумДУ Опис Silicon (Si) quantum dots (QDs) passivated with oxygen and hydrogen of size 1 nm in diameter are prepared by wet chemical route and electrochemical route respectively. The optical measurements reveal the strong absorption feature around 4.7 eV and weak absorption at 3.4 eV for oxygen passivated Si QDs. Hydrogen passivated Si QDs of the same size show absorption at 4.9 eV. Both the oxygen and hydrogen passivated Si QDs show broad luminescence around 3.9 and 3.8 eV. Films of these QDs, when coated on crystalline silicon solar cells, show an increase in the efficiency of the solar cell by 12 %. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/27881 Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити