Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2113U000606, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT) Автор Дата публікації 01-01-2013 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35543 Видання Sumy State University Опис High field effect mobility thin film transistors find immense application in active matrix liquid crystal display (AMLCD) or active matrix organic light emitting diode (AMOLED) displays [1], [2]. Amorphous silicon is easily deposited over large areas at low deposition temperatures (below 450°C) but it suffers degradation under bias stress and under illumination. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT)
Modeling of Field Effect Mobility Using Grain Boundaries on Nanocrystalline Silicon Thin-Film Transistor (nc-Si TFT) : публікація 2013-01-01; Сумський державний університет, 2113U000606
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-23


Роздрукувати цю сторінку