Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U000980, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Confined Energy State Based Hypothetical Observations about Device Parameters of AlGaN / GaN HEMT Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39049 Видання Sumy State University Опис In this paper, the gate threshold voltage of AlGaN / GaN HEMT devices has been analytically predicted based on the calculated energy levels inside triangular quantum well at the hetero-interface and found to be comparable with experimental data. The conceptual explanation of device linearity in large signal applications has been presented in terms of quantized energy levels in the quantum well. The dependence of threshold voltage and linear operable gate voltage range on a newly introduced parameter named “Surface Factor” is analyzed as well. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити