Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2115U001647, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи The effect of Al target current on the structure and properties of (Nb2Al)N films with an amorphous AlN phase Автор Дата публікації 01-01-2015 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/46105 Видання Pleiades Publishing, Ltd Опис Nanocomposite films based on (Nb2Al)N intermetallic nitride have been obtained by the method of magnetron sputtering. Xray diffraction analysis revealed two stable states of the crystalline structure: (i) NbN with low amount (within 5 at %) of dissolved Al in a composition close to (Nb2Al)N and (ii) an amor phous component related to aluminum nitride formed by reactive magnetron sputtering. The substructural characteristics (grain size and microdeformation level) are sensitive to the current via Al target and exhibit correlation with nanohardness and Knoop hardness of the film, which vary within 29–33.5 and 46–48 GPa, respectively. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити