Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2116U000665, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy Автор Дата публікації 01-01-2016 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44874 Видання Sumy State University Опис In this work, Schottky Au-Polycrystalline silicon diodes are successfully realised. The barrier height is around ФB = 0.74 eV as determined from Capacitance – Bias (C-V) characteristics. The depth profile of the apparent doping is deduced from these measurements. Its behaviour leads to the experimental profile. Moreover, the diode admittance measurements versus the frequency and the temperature at different biases show the possibility to use this device to characterise the electrical quality of the polycrystalline silicon. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити
Матеріали
Стаття
Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy
Characterization of in-situ Doped Polycrystalline Silicon Using Schottky Diodes and Admittance Spectroscopy : публікація 2016-01-01; Сумський державний університет, 2116U000665
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-23


Роздрукувати цю сторінку