Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2118U002023, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Investigation of Absorber Layer Thickness Effect on CIGS Solar Cell in Different Cases of Buffer Layers Автор Дата публікації 01-01-2018 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71567 Видання Sumy State University Опис This study investigates the interplay between the absorber layer of Cu(In,Ga)Se2 solar cells and the buffer layer of these devices. Cu(In,Ga)Se2 devices with absorbers of different thicknesses and different buffer layers are simulated. We found that the reduction in thickness of the CIGS cell leads to decrease shortcircuit current, it is the main cause of degradation photovoltaic conversion efficiency. It has been found that substitution of the CdS buffer layer by other materials such as ZnS can limit this performance degradation. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити