Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U008145, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи МДН-транзистор з субмікрометровою довжиною каналу Автор Єрьоменко Ігор ВікторовичYeromenko Ihor Viktorovych Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42259 Видання Київ Опис Роботу викладено на 53 сторінках, вона містить 5 розділів, 28 ілюстрацій, 1 таблицю та 24 джерела в переліку посилань. Об'єктом дослідження є МДН транзистор из субмікрометровою довжиною каналу та їх конструктивно-технологічні особливості реалізації. Предметом роботи є порівняння результатів моделювання МДН транзистора та КНІ МДН транзистора зі структурою затвору TiAl/HfO2. Метою роботи є огляд сучасних конструкцій МДН транзисторів та вибір матеріалів підзатворних діелектриків та затвору для їх виготовлення. У першому розділі подаються способи застосування МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу. У другому розділі описуються коротко-канальні ефекти та способи їх усунення. У третьому розділі проводиться аналіз матеріалів для затвору та підзатворного діелектрика. У четвертому розділі розглядаються конструктивні та технологічні особливості реалізації МДН транзисторів з субмікрометровою довжиною каналу. У п’ятому розділі надаються способи моделювання та проводиться порівняння вольт-амперних характеристик змодельованих МДН транзисторів. This work is presented on 53 pages, it contains 5 sections, 28 illustrations, 1 table and 24 sources in the list of references. The object of study is MOSFET with a submicrometer channel length and its design and technological features of implementation. The subject of the work is the comparison of the simulation results of the MOSFET and the SOI MOSFET with gate structure of TiAl/HfO2. The aim of the work is to review the modern designs of MOSFETs and the choice of materials for gate dielectrics and gate. The first section presents application of MOSFETs with a submicrometer channel length. The second section describes short-channel effects and ways to eliminate them. The third section has analysis of the materials for the gate and gate dielectric. The fourth section considers construction design and technological features of MOSFETs with a submicrometer channel length. The fifth section provides simulation methods and compares the current-voltage characteristics of the simulated MOSFETs. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити