Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2122U003787, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Приладово-технологічне моделювання FET’s транзисторів на основі нанотрубок Автор Дата публікації 01-01-2022 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88127 Видання Конотопський інститут Сумського державного університету Опис Об’єктом дослiдження квалiфiкацiйної роботи є транспорт носiїв заряду у польових транзисторах з каналами у виглядi вуглецевих нанотрубок. Мета роботи полягає у дослiдженнi впливу масштабування та температури на електричні параметри польових транзисторiв з каналами у виглядi вуглецевих нанотрубок. Робота складається iз вступу, трьох роздiлiв основної частини та висновкiв. У першому роздiлi наведено огляд характеристик транзисторних структур з каналами у вигляді одно- та двостінних вуглецевих нанотрубок. У другому роздiлi розглядається методика моделювання структур та електричних параметрів коаксіальних польових транзисторiв з каналами у вигляді нанотрубок за допомогою програмного середовища Silvaco TCAD. У третьому роздiлi наведено результати дослідження структурних та температурних характеристик польових транзисторів з каналами у вигляді одно- та двостінних вуглецевих нанотрубок, отриманi результати свiдчать про бiльш високу їх термічну стiйкiсть, ніж приладів з кремнієвими каналами. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити