Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2123U005311, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Magnetic Properties of Silicon Doped with Impurity Atoms of Europium Автор Дата публікації 01-01-2023 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94030 Видання Sumy State University Опис Методом Ван-дер-Пау (ВДП) досліджено електричні параметри дифузійно легованих атомами європію зразків кремнію. Експериментальні результати, зокрема морфологію поверхні, досліджували за допомогою атомно-силового мікроскопа (АСМ). Стала ґратки матеріалів була розрахована за допомогою закону Брегга-Брентано з використанням рентгенівської дифракції на рентгенограмі зразка Si˂P,Eu˃. The electrical parameters of silicon samples diffusion doped by europium impurity atoms were studied by Van der Pauw (VDP) method. The experimental results were examined, particularly the surface morphology using an Atomic Force Microscope (AFM). The lattice constant of the materials was calculated with the help of Bragg-Brentano`s law using X-ray diffraction on the XRD pattern of the Si˂P,Eu˃ sample. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити