Registration Number
0401U001900, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
15-06-2001
popup.evolution
.
Title
Study of defect states in semi-insulating undoped gallium arsenide
Author
Stril'chuk Oksana Mykolayivna,
popup.head Глинчук К.Д.
popup.opponent Корбутяк Д.В.
popup.opponent Брайловський Є.Ю.
popup.opponent Гнатенко Ю.П.
popup.rada
Institute of Semiconductor Physics
Description
Випромінювальна рекомбінація нерівноважних носії струму на дефектних станах, зумовлених залишковими домішками та дефектами гратки у напівізолююлюючому спеціально нелегованому GaAs. Мета - виявлення взаємодії дефектних станів між собою і з екситонами, та з'ясування дії на них термообробки по особливостям перебігу випромінювальної рекомбінації нерівноважних носіїв струму в напівізолюючому GaAs. Метод - дослідження спектрів фотолюмінесції кристалів з різним вмістом залишкових домішок у широкому температурному діапазоні при різних рівнях збудження. Встановлена значна взаємодія домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами. Визначена роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Доведено, що смуга випромінювання з положенням максимуму 1.5133 еВ зумовлена випромінювальною рекомбінацію зв'язаного на іонізованому донорі екситона. Встановлено вплив термообробки при 900 С протягом 20-90 хв на домішковий склад досліджуваних зразків, зокрема, підвищення концентрації акцепторів і нем онотонну зміну концентрації донорів. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолюючому GaAs.
Registration Date
2001-06-22
popup.nrat_date
2020-04-05 / 2026-06-30
