Реєстраційний номер
0401U001900, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
15-06-2001
Статус
Захищена
Назва роботи
Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію
Здобувач
Стрільчук Оксана Миколаївна,
Керівник Глинчук К.Д.
Опонент Корбутяк Д.В.
Опонент Брайловський Є.Ю.
Опонент Гнатенко Ю.П.
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис
Випромінювальна рекомбінація нерівноважних носії струму на дефектних станах, зумовлених залишковими домішками та дефектами гратки у напівізолююлюючому спеціально нелегованому GaAs. Мета - виявлення взаємодії дефектних станів між собою і з екситонами, та з'ясування дії на них термообробки по особливостям перебігу випромінювальної рекомбінації нерівноважних носіїв струму в напівізолюючому GaAs. Метод - дослідження спектрів фотолюмінесції кристалів з різним вмістом залишкових домішок у широкому температурному діапазоні при різних рівнях збудження. Встановлена значна взаємодія домішок між собою та з дефектами гратки, домішок з вільними екситонами. Визначена роль домішки вуглецю в утворенні дивакансій галію. Доведено, що смуга випромінювання з положенням максимуму 1.5133 еВ зумовлена випромінювальною рекомбінацію зв'язаного на іонізованому донорі екситона. Встановлено вплив термообробки при 900 С протягом 20-90 хв на домішковий склад досліджуваних зразків, зокрема, підвищення концентрації акцепторів і нем онотонну зміну концентрації донорів. Запропоновано безконтактний експресний метод визначення кількісного вмісту вуглецю, цинку та кремнію в напівізолюючому GaAs.
Дата реєстрації
2001-06-22
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-05 / 2026-06-30
